Vào ngày 22 tháng 9, một nhóm các nhà nghiên cứu từ Viện Nghiên cứu Năng lượng Mặt trời Fraunhofer (Fraunhofer ISE) và Quỹ NWO-Institute Foundation AMOLF ở Amsterdam đã công bố việc tạo ra pin mặt trời đa điểm với hiệu suất 36,1%. Điều này lập kỷ lục mới cho pin mặt trời dựa trên silicon.
Albert Polman, người đứng đầu phần AMOLF của dự án, cho biết: "Kỷ lục mới này là kết quả của sự hợp tác độc đáo giữa Fraunhofer ISE và AMOLF bắt đầu vào năm 2020. Nhóm Fraunhofer ISE nổi tiếng trong ngành sản xuất siêu cao- pin mặt trời hiệu quả dựa trên chất bán dẫn silicon và III-V, như GaInP hoặc GaAs. Nhóm AMOLF có nhiều năm kinh nghiệm trong việc tối ưu hóa quản lý ánh sáng pin mặt trời. Trong dự án này, chúng tôi đã kết hợp chuyên môn của cả hai nhóm để sản xuất pin mặt trời đa chức năng này . Các bước xử lý pin mặt trời khác nhau đã được thực hiện ở cả Freiburg và Amsterdam để tạo ra pin mặt trời hoàn chỉnh."
Frank Dimroth của Fraunhofer ISE cho biết thêm: "Các nhà nghiên cứu từ cả hai nhóm đã tích hợp các quy trình tốt nhất hiện có để cùng nhau lập kỷ lục hiệu suất mới cho pin mặt trời đa điểm nối dựa trên silicon. Tấm phản xạ ngược mới của AMOLF và tế bào giữa GaInAsP cải tiến của Fraunhofer đều đóng một vai trò quan trọng trong đạt được kết quả nổi bật này”.
